史密斯燃?xì)庠顭犭娕季S修(史密斯燃?xì)庠钍酆缶S修)

史密斯燃?xì)庠顭犭娕季S修(史密斯燃?xì)庠钍酆缶S修)

前沿拓展：

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紅外探測(cè)器技術(shù)既是一個(gè)古老的技術(shù)，又是一個(gè)充滿活力的高技術(shù)領(lǐng)域。實(shí)際上，紅外探測(cè)器技術(shù)不僅僅是一個(gè)需要掌握knowhow的技術(shù)領(lǐng)域，也是一個(gè)充滿探索無數(shù)未知的科學(xué)領(lǐng)域。以下以羅列大事記的方式，對(duì)紅外探測(cè)器技術(shù)發(fā)展歷史進(jìn)行簡(jiǎn)要回顧。從中可知將紅外探測(cè)器技術(shù)視為技術(shù)顯然是不夠全面的。科學(xué)引領(lǐng)技術(shù)，技術(shù)創(chuàng)造產(chǎn)品，產(chǎn)品決定市場(chǎng)。本書中還稱之為紅外探測(cè)器技術(shù)僅僅是照顧習(xí)慣。

早期發(fā)展

1593年，伽利略（Galileo）發(fā)明溫度計(jì)。

1800年，赫歇爾（Herschel）在研究太陽(yáng)光譜時(shí)，用溫度計(jì)發(fā)現(xiàn)可見光紅光之外存在的紅外線。

1821年，賽貝克（Seebeck）發(fā)現(xiàn)熱電效應(yīng)，并演示了第一個(gè)熱電偶。

1824年，卡諾（Carnot）提出以他名字命名的定律，建立了絕對(duì)溫標(biāo)理論基礎(chǔ)。

1831年，諾畢力（Nobili）將多個(gè)熱電偶串聯(lián)起來，制備出第一個(gè)熱電堆。

1834年，珀耳帖（Peltier）發(fā)現(xiàn)了熱電制冷效應(yīng)。

1848年，開爾文（Kelvin）提出熱力學(xué)溫標(biāo)的概念。

18601862年，基爾霍夫提出了&34;黑體&34;的概念和以他名字命名的定律。

1873年，史密斯（Smith）在硒中發(fā)現(xiàn)光電導(dǎo)效應(yīng)。

1877年，凱特勒和皮克泰特液化了空氣、氮?dú)狻⒀鯕夂蜌錃?，為紅外探測(cè)器的制冷提供了冷源。

1881年，朗萊（Lang ley）發(fā)明測(cè)輻射熱計(jì)，利用惠斯通（Wheatstone）電橋，可以測(cè)量出0.0000001℃的溫度變化。至此，研究紅外光譜學(xué)最重要的三個(gè)紅外探測(cè)器都出現(xiàn)了，其中熱電偶、熱電堆和測(cè)輻射熱計(jì)至今仍然在廣泛使用。同時(shí)，研究了太陽(yáng)光譜的紅外區(qū)、地球的紅外輻射和紅外輻射在大氣中透射的特性，確認(rèn)地球的紅外輻射波長(zhǎng)超過5μm。

1894年，帕邢（Paschen）探測(cè)到9.3μm的紅外輻射。

1897年，帕邢（Paschen）探測(cè)到23μm的紅外輻射。

1898年，杜瓦（Dewar）發(fā)明以他名字命名的低溫容器——杜瓦瓶，并液化了氦氣。至此，制冷型紅外探測(cè)器所需的封裝和冷源具備了實(shí)際應(yīng)用的條件。

18951901年，盧梅爾（Lummer）、普林舍姆（Pringsheim）和庫(kù)爾鮑姆（Kurlbaum）等人測(cè)量了&34;黑體&34;輻射，奠定了黑體輻射的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。

1900年，普朗克（Planck）提出了量子論和黑體輻射理論，奠定了紅外輻射的理論基礎(chǔ)。

1904年，柔斯（Rose）在方鉛礦——天然硫化鉛（PbS）、人類發(fā)現(xiàn)的第一種本征窄禁帶化合物半導(dǎo)體中發(fā)現(xiàn)光生伏特效應(yīng)。

1910～1920年，出現(xiàn)了探測(cè)船艦、飛機(jī)、人、炮兵陣地和冰山等目標(biāo)的紅外裝置。

1917年，凱斯（Case）用硫化鉈（TlS）研制成功第一個(gè)高性能光電導(dǎo)紅外探測(cè)器。

1930年前后，人們?cè)陔娮庸芗夹g(shù)的基礎(chǔ)上，發(fā)明了使用銀氧銫（CsOAg）材料的光電倍增管。

1930年代中期，柏林大學(xué)的庫(kù)茲舒爾（Kutzscher）發(fā)現(xiàn)硫化鉛對(duì)紅外輻射的響應(yīng)可以達(dá)到3μm。

1930年代末，第一個(gè)實(shí)用的硫化鉛紅外探測(cè)器在第二次世界大戰(zhàn)中得到應(yīng)用。

1941年，凱氏門（Cashman）改進(jìn)了硫化鉈紅外探測(cè)器的技術(shù)，使其首先成功的進(jìn)行了生產(chǎn)和應(yīng)用。第二次世界大戰(zhàn)之后，凱氏門又發(fā)現(xiàn)了硫化鉛、碲化鉛等其他鉛鹽半導(dǎo)體材料，構(gòu)成了鉛鹽系列的紅外探測(cè)器材料。

1943年，德國(guó)人將光電導(dǎo)硫化鉛紅外探測(cè)器投入生產(chǎn)和應(yīng)用，從那時(shí)至今，光電導(dǎo)硫化鉛紅外探測(cè)器仍然是最重要的短波紅外探測(cè)器。

1944年，美國(guó)人在西北大學(xué)進(jìn)行了硫化鉛紅外探測(cè)器的生產(chǎn)。

1945年，英國(guó)人在英格蘭的海軍實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行了硫化鉛紅外探測(cè)器的生產(chǎn)。

至此，第一代熱成像技術(shù)的理論、物質(zhì)條件都基本具備了。

制冷紅外探測(cè)器技術(shù)的發(fā)展簡(jiǎn)史

軍事上的需求直接拉動(dòng)了夜視技術(shù)的發(fā)展，對(duì)夜視技術(shù)發(fā)展影響最大的就是20世紀(jì)50年代初的那場(chǎng)朝鮮戰(zhàn)爭(zhēng)。在朝鮮戰(zhàn)爭(zhēng)中，美國(guó)軍隊(duì)總結(jié)了經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)，深刻認(rèn)識(shí)到夜戰(zhàn)的作用和地位，從唯物主義的觀點(diǎn)出發(fā)，為克服夜間的限制，必須在技術(shù)上突破，以解決人眼在夜間觀察的局限性。20世紀(jì)50年代，在半導(dǎo)體、微電子、紅外探測(cè)器、精密光學(xué)與機(jī)械技術(shù)等基礎(chǔ)上，發(fā)展了今天的熱成像夜視技術(shù)。同時(shí)，在電真空技術(shù)的基礎(chǔ)上，發(fā)展了紅外夜視、微光圖像增強(qiáng)技術(shù)等，成為今天的微光夜視技術(shù)。

1952年～1953年，美國(guó)研制成功世界上最早的熱成像系統(tǒng)——AN/AAS4，最初以下視狀態(tài)掛在B50轟炸機(jī)上，以后進(jìn)行的側(cè)置、前視試驗(yàn)表明，該系統(tǒng)也可用于地面，前視紅外的名詞即來源于此。

1955年，人們發(fā)明了銻化銦（InSb）窄禁帶半導(dǎo)體材料，這是一種本征化合物半導(dǎo)體，可以用標(biāo)準(zhǔn)的拉單晶的方法進(jìn)行生長(zhǎng)。銻化銦晶體的發(fā)明，實(shí)現(xiàn)了對(duì)中波紅外輻射的高靈敏探測(cè)。至今仍然是最重要的中波紅外探測(cè)器之一。

1956年，人們發(fā)明了鍺摻雜（一種非本征半導(dǎo)體材料）紅外探測(cè)器。同年，美國(guó)芝加哥大學(xué)研制成XA1型長(zhǎng)波前視紅外系統(tǒng)。同一時(shí)期，美國(guó)得克薩斯（Texas）儀器公司和休斯（Hughes）公司分別研究了并行掃描和串行掃描的熱成像系統(tǒng)。

1959年，英國(guó)人勞森（Lawson）與其合作者發(fā)明了迄今為止仍然是最重要的紅外探測(cè)器材料——碲鎘汞（Hg1XCdXTe）三元合金半導(dǎo)體，這是一種本征半導(dǎo)體材料。通過改變鎘的組份，可以精確的控制碲鎘汞材料的禁帶寬度，覆蓋短波、中波和長(zhǎng)波紅外三個(gè)紅外&34;大氣窗口&34;，并實(shí)現(xiàn)紅外探測(cè)器工作波長(zhǎng)與&34;大氣窗口&34;最好的匹配。碲鎘汞的發(fā)明奠定了第一代、第二代熱成像技術(shù)的材料和技術(shù)基礎(chǔ)。

1964年，美國(guó)得克薩斯儀器公司研制出被稱為&34;孤獨(dú)虎&34;（Lonesome Tiger）的熱像儀，并成功用于越南戰(zhàn)爭(zhēng)。

1966年，人們發(fā)明了另一種重要的紅外探測(cè)器材料——碲錫鉛（Pb1X SnXTe）三元合金半導(dǎo)體，這也是一種本征半導(dǎo)體材料。碲錫鉛三元合金材料有與碲鎘汞材料相同的優(yōu)點(diǎn)，隨著研究工作的深入，因碲錫鉛材料的介電常數(shù)大，熱膨脹系數(shù)與硅材料的相差大等因素，使得在20世紀(jì)80年代之后，對(duì)碲錫鉛器件的研究集中在長(zhǎng)波紅外激光二極管上。

1968年，人們發(fā)明了硅摻雜（一種非本征半導(dǎo)體材料）紅外探測(cè)器。因硅摻雜紅外探測(cè)器的制備工藝與硅工藝兼容，因此在進(jìn)一步向紅外焦平面探測(cè)器發(fā)展時(shí)，仍有發(fā)展?jié)摿Α?/p>

1960年代，人們研制成功硫化鉛、硒化鉛（PbSe）、銻化銦的線列紅外探測(cè)器，并進(jìn)行了應(yīng)用。同時(shí)，進(jìn)一步研制成功了鍺摻汞（Hg∶Ge）長(zhǎng)波紅外探測(cè)器，并用于U2高空戰(zhàn)略偵察機(jī)上的紅外行掃儀。由于探測(cè)器需要工作在25K的低溫，對(duì)制冷條件要求高，需要兩級(jí)制冷器進(jìn)行制冷。因此，在碲鎘汞（Hg1XCdXTe）材料發(fā)明之后，就只應(yīng)用于特殊用途。利用鍺摻汞長(zhǎng)波紅外探測(cè)器，人們首次實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)波紅外的熱成像——前視紅外（ForwardLooking InfraRed——FLIR），從而奠定了第一代、第二代熱成像技術(shù)的整機(jī)技術(shù)基礎(chǔ)。至此，熱成像技術(shù)的核心基礎(chǔ)全部完成。

1960年代末、1970年代初，人們研制成功碲鎘汞長(zhǎng)波紅外線列探測(cè)器。

1975年，美國(guó)提出了第一代熱成像通用組件的概念。

1980年，美國(guó)基于碲鎘汞長(zhǎng)波紅外線列探測(cè)器組件的第一代熱成像通用組件投入大批量生產(chǎn)。

在第一代熱成像技術(shù)還在發(fā)展的同時(shí)，西方國(guó)家又開始進(jìn)行第二代熱成像技術(shù)的探索。

1978年，美國(guó)德克薩斯公司研制成功規(guī)模為8×8的單片式碲鎘汞電荷注入（成像）器件（Charge Injection Device——CID）。美國(guó)GEC公司研制成功規(guī)模為16×24的單片式銻化銦電荷注入（成像）器件（CID）。

1979年，美國(guó)德克薩斯公司研制成功規(guī)模為32×32單片式碲鎘汞電荷注入（成像）器件（CID）。美國(guó)霍尼韋爾公司研制成功規(guī)模為32×32中波單片式碲鎘汞電耦成像器件（CCD）。

1980年，美國(guó)休斯公司采用硅電荷耦合器件（CCD）讀出電路、銦柱列陣和倒裝焊接技術(shù)，研制成功規(guī)模為32×32混合式碲鎘汞紅外焦平面探測(cè)器。這種芯片組件的結(jié)構(gòu)成為第二代紅外焦平面探測(cè)器的主流結(jié)構(gòu)。

1983年，英國(guó)GEC馬克尼公司研制成功規(guī)模為32×32單片式銻化銦電荷注入（成像）器件（CID）。美國(guó)GEC公司研制成功規(guī)模為64×64單片式銻化銦電荷耦合成像器件（CCD）。美國(guó)諾斯洛普公司研制成功規(guī)模為128×128單片式銻化銦電荷注入（成像）器件（CID）。

1984年：英國(guó)馬拉德公司研制成功長(zhǎng)波、中波紅外64×64/CCD混合式碲鎘汞焦平面探測(cè)器。

1986年，法國(guó)研制成功64×64/MOS混合式碲鎘汞焦平面探測(cè)器。日本富士公司研制成功64×64/CCD混合式碲鎘汞焦平面探測(cè)器。美國(guó)麥克唐納道格拉斯公司研制成功64×64混合式碲鎘汞焦平面探測(cè)器。英國(guó)皇家雷達(dá)信號(hào)研究所與馬拉德公司合作，研制成功64×64/NMOS 混合式碲鎘汞焦平面探測(cè)器，之后又研制成功128×128/NMOS混合式碲鎘汞焦平面探測(cè)器。美國(guó)加州理工學(xué)院研制成功256×256/MOS混合式銻化銦焦平面探測(cè)器。美國(guó)GEC公司開始研制中波紅外480×12/CCD混合式碲鎘汞焦平面探測(cè)器。

1987年，美國(guó)羅克韋爾公司研制256×256混合式碲鎘汞焦平面探測(cè)器。美國(guó)陸軍夜視光電中心開始研制1000×16、480×4、960×4等規(guī)格混合式碲鎘汞焦平面探測(cè)器。

1988年，美國(guó)休斯公司研制成功長(zhǎng)波紅外640×480混合式碲鎘汞焦平面探測(cè)器。

1989年，日本研制成功Pt:Si紅外焦平面探測(cè)器。

1990年，法國(guó)索法拉迪公司開始生產(chǎn)長(zhǎng)波紅外288×4混合式碲鎘汞焦平面探測(cè)器。

1992年，美國(guó)琥珀公司研制成功512××512/CMOS混合式銻化銦焦平面探測(cè)器。

1994年，美國(guó)休斯公司研制成功1024×1024/CMOS混合式碲鎘汞焦平面探測(cè)器、短波紅外288×4混合式碲鎘汞焦平面探測(cè)器。

1995年，英國(guó)GEC馬克尼公司研制成功長(zhǎng)波紅外768×10/CMOS混合式碲鎘汞焦平面探測(cè)器。

1997年至今，美、英、法等國(guó)家所研制的紅外焦平面探測(cè)器形成主流產(chǎn)品，并進(jìn)入大批量生產(chǎn)，這是第二代熱成像技術(shù)成熟的標(biāo)志。

總結(jié)起來，制冷型紅外焦平面探測(cè)器的發(fā)展大致可以分成三個(gè)階段：

技術(shù)探索期

大約從1978年至1986年。在這一階段，主要是對(duì)各種可能的技術(shù)、技術(shù)路線進(jìn)行了探索，例如：在紅外焦平面探測(cè)器上，研究了碲鎘汞、銻化銦。在信號(hào)的讀出方式上，研究了單片式和混合式結(jié)構(gòu)，研究了電荷注入器件、電荷耦合器件、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管開關(guān)矩陣器件等。從技術(shù)的發(fā)展看，早期人們希望用一種材料，同時(shí)完成對(duì)紅外輻射的光電轉(zhuǎn)換和信號(hào)的讀出，例如用碲鎘汞、銻化銦材料研制的單片式電荷注入器件。由于碲鎘汞、銻化銦材料都是窄禁帶的半導(dǎo)體，所形成的勢(shì)阱容量不足，紅外輻射的背景通量很大，因此，幾年后人們就將注意力轉(zhuǎn)移到混合式結(jié)構(gòu)上了，即紅外探測(cè)器列陣用碲鎘汞、銻化銦材料，信號(hào)處理電路用硅集成電路，再將其互連形成一個(gè)焦平面探測(cè)器芯片組件。

技術(shù)成型期

從1986年至1997年。在這一時(shí)期，人們已認(rèn)識(shí)到：用窄禁帶半導(dǎo)體材料研制紅外探測(cè)器列陣芯片，用硅集成電路芯片實(shí)現(xiàn)信號(hào)處理是研制紅外焦平面探測(cè)器的最佳途徑，所以，技術(shù)路線主要集中在混合式結(jié)構(gòu)上，進(jìn)而研制成功各種規(guī)格的紅外焦平面探測(cè)器，開始進(jìn)入系統(tǒng)應(yīng)用階段。即使單片式結(jié)構(gòu)的紅外焦平面探測(cè)器，也要采用其它探測(cè)器材料。例如：肖特基勢(shì)壘紅外焦平面探測(cè)器采用Pt:Si等薄膜材料。在這一時(shí)期，人們結(jié)合特定領(lǐng)域的應(yīng)用，集中研制集中規(guī)格的紅外焦平面探測(cè)器，例如：掃描型的有288/240×4、480×4/6、576×6、768×10等，凝視型的有128×128、256×256、320×240、384×288、512×512、640×480等。

技術(shù)成熟期

從1997年至今。在這一時(shí)期，形成紅外焦平面探測(cè)器主流產(chǎn)品，并投入大規(guī)模生產(chǎn)。由于成本的原因，即使已經(jīng)研制出來的一些產(chǎn)品也未投入大規(guī)模生產(chǎn)，例如：長(zhǎng)波紅外碲鎘汞640×480規(guī)模的焦平面探測(cè)器。

迄今為止，已研制和生產(chǎn)了兩代熱像儀，正在研制、探索第三代、第四代熱成像技術(shù)。

可以說，20世紀(jì)60年代為熱成像技術(shù)的探索時(shí)代，20世紀(jì)70年代為第一代熱成像技術(shù)的裝備研制、開發(fā)時(shí)代，20世紀(jì)80年代為第一代熱成像技術(shù)成熟和廣泛應(yīng)用的時(shí)代，20世紀(jì)90年代是以紅外焦平面探測(cè)器組件（Focal Plane Assemblies——FPA）。從21世紀(jì)初開始到目前，正在進(jìn)行第三代熱成像技術(shù)、甚至第四代熱成像技術(shù)的研發(fā)與探索。

非制冷紅外探測(cè)器技術(shù)發(fā)展簡(jiǎn)史

制冷器/機(jī)的存在，限制了熱像儀的價(jià)格、體積、重量和可靠性等。因此，研制不需要制冷的紅外焦平面探測(cè)器就成人們關(guān)注的一個(gè)焦點(diǎn)。從20世紀(jì)70年代末，美國(guó)等國(guó)家秘密開展了非制冷紅外焦平面探測(cè)器的研制。到20世紀(jì)90年代初公開，美、英等國(guó)的非制冷紅外焦平面探測(cè)器已經(jīng)進(jìn)入生產(chǎn)。

1979年，美國(guó)得克薩斯公司開展了研制規(guī)模為100×100的鈦酸鍶鋇非制冷紅外焦平面探測(cè)器。

1983年，美國(guó)霍尼韋爾光公司開始研制采用硅微橋的氧化釩微測(cè)輻射熱計(jì)的非制冷焦平面探測(cè)器。

1987年，美國(guó)德克薩斯公司成功的進(jìn)行了規(guī)模為100×100的鈦酸鍶鋇非制冷紅外焦平面探測(cè)器的成像演示。美國(guó)陸軍夜視實(shí)驗(yàn)室開展非制冷焦平面探測(cè)器的高密度成像列陣計(jì)劃。

1988年，英國(guó)普萊賽公司研制鈦酸鈧鉛熱釋電材料的非制冷焦平面探測(cè)器，規(guī)模為100×100。

1989年，美國(guó)霍尼韋爾光公司研制成功采用硅微橋的氧化釩微測(cè)輻射熱計(jì)的非制冷焦平面探測(cè)器，規(guī)模為128×64。

1991年，美國(guó)洛拉公司研制成功熱釋電材料的非制冷焦平面探測(cè)器，規(guī)模為192×128。美國(guó)霍尼韋爾光公司研制成功氧化釩微測(cè)輻射熱計(jì)的非制冷焦平面探測(cè)器，規(guī)模為336×240。

1992年，美國(guó)德克薩斯公司研制成功規(guī)模為328×245的鈦酸鍶鋇非制冷紅外焦平面探測(cè)器。

1995年，美國(guó)琥珀公司研制成功氧化釩微測(cè)輻射熱計(jì)的非制冷焦平面探測(cè)器，規(guī)模為320×240。

1996年，英國(guó)GEC馬克尼公司研制成功采用鈦酸鈧鉛熱釋電材料的混合式、規(guī)模為256×128/CMOS的長(zhǎng)波非制冷焦平面探測(cè)器。法國(guó)紅外實(shí)驗(yàn)室研制成功非晶硅的非制冷焦平面探測(cè)器，規(guī)模為320×64。

1992年至今，美、英、法等國(guó)的非制冷紅外焦平面探測(cè)器投入大批量生產(chǎn)，形成主流規(guī)格和產(chǎn)品。

總結(jié)起來，非制冷型紅外焦平面探測(cè)器的發(fā)展大致可以分成三個(gè)階段：

技術(shù)探索期

大約從1979年至1992年。在這13年中，主要是對(duì)兩種材料——熱釋電材料和氧化釩材料，兩種技術(shù)路線——混合式（金屬凸點(diǎn)列陣/有機(jī)物金屬膜凸點(diǎn)列陣）和單片式（硅微橋列陣）進(jìn)行了探索。以美國(guó)德克薩斯公司研制成功規(guī)模為328×245的鈦酸鍶鋇非制冷紅外焦平面探測(cè)器、霍尼韋爾光公司研制成功規(guī)模為336×240的氧化釩微測(cè)輻射熱計(jì)的非制冷焦平面探測(cè)器為標(biāo)志。

技術(shù)成熟期

從1992年至今。在這一時(shí)期，形成紅外焦平面探測(cè)器主流產(chǎn)品，混合式、單片式非制冷型紅外焦平面探測(cè)器均投入生產(chǎn)。例如：美國(guó)德克薩斯公司規(guī)模為328×245的鈦酸鍶鋇非制冷紅外焦平面探測(cè)器、霍尼韋爾光公司規(guī)模為336×240的氧化釩微測(cè)輻射熱計(jì)的非制冷焦平面探測(cè)器、英國(guó)GEC馬克尼公司規(guī)模為256×128的鈦酸鈧鉛非制冷焦平面探測(cè)器、法國(guó)索法拉迪公司規(guī)模為320×240的非晶硅非制冷焦平面探測(cè)器等，并大量被各種低成本熱像儀所采用。非制冷焦平面探測(cè)器的出現(xiàn)，使非制冷熱像儀的價(jià)格低至第一代制冷型熱像儀的十分之一，這使熱像儀可以在更大規(guī)模、更多領(lǐng)域得到應(yīng)用，是熱成像技術(shù)領(lǐng)域的一個(gè)里程碑。為進(jìn)一步降低成本，還生產(chǎn)了160×120規(guī)模的非制冷紅外焦平面探測(cè)器。

新技術(shù)探索期

從1992年至今。非制冷紅外焦平面探測(cè)器的成功，使更多的人投入新材料、新工藝、新技術(shù)的探索之中，希望解決還存在的問題，例如解決微測(cè)輻射熱計(jì)的非制冷紅外焦平面探測(cè)器的功耗問題，減小探測(cè)元尺寸，進(jìn)一步降低成本的問題，研制640×480、1024×768等規(guī)模更大的器件等等。

拓展知識(shí)：

史密斯燃?xì)庠顭犭娕季S修

聽見馬路上喊的修煤氣灶喲 就那個(gè)人修一下 幾元錢 如果你自己動(dòng)手能力的話 煤氣灶下面的內(nèi)膽全撤了在重新裝上基本就可以好了 本回答被網(wǎng)友采納

史密斯燃?xì)庠顭犭娕季S修

　　帶熱電偶的灶具要求安裝在通風(fēng)良好的廚房?jī)?nèi),它與鋼瓶最小距離為1m,但進(jìn)氣軟管最長(zhǎng)不宜超過2m,灶具下面及周圍不要堆放易燃物品。
　　帶熱電偶的灶具應(yīng)安放在不易燃燒的灶臺(tái)上,灶臺(tái)高度一般為70cm。它應(yīng)安放平穩(wěn),下進(jìn)風(fēng)嵌入式灶嵌入灶臺(tái)安裝使用時(shí),必須在櫥柜側(cè)壁或前壁開設(shè)相當(dāng)80cm2面積的空氣吸入孔,為防止老鼠進(jìn)入,宜安裝金屬網(wǎng),當(dāng)器具下方設(shè)有擋板時(shí),應(yīng)預(yù)留更換電池的位置。
　　灶具背面與墻凈距不小于10cm,側(cè)面與墻凈距不小于20cm;若墻面屬易燃材料時(shí),須加貼隔熱防火層,該防火層多出灶面兩端與灶具以下部分不小于20cm,多出灶具以上部分不小于80cm。
　　進(jìn)氣管聯(lián)接一定要密封,用膠管聯(lián)接時(shí)一定要把膠管上到位,并用卡箍夾緊,用皂液檢查應(yīng)無滲漏。帶熱電偶的燃?xì)庠钤谑褂妹}沖點(diǎn)火的灶具,使用前應(yīng)按正負(fù)極要求裝好電池。使用中點(diǎn)火時(shí)的“啪啪”聲變得緩慢、點(diǎn)不著火,或即使點(diǎn)著火也立刻熄滅,則應(yīng)更換干電池。