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發(fā)布日期：2023-03-24 16:34:48 瀏覽：

前沿拓展：

前言

從第一款氮化鎵快充電源量產(chǎn)到如今成百上千款氮化鎵新品涌入市場，短短三年時間，整個氮化鎵快充電源市場的容量翻了百倍，昔日只有個別第三方配件品牌敢于嘗試的氮化鎵技術(shù)，如今便已成為了一線手機、筆電品牌的主流產(chǎn)品，不得不感嘆技術(shù)迭代的魅力。

之后的幾年里，國產(chǎn)電源芯片企業(yè)不僅推出了高頻氮化鎵控制器，大部分控制器還支持直驅(qū)氮化鎵功率器件。在此基礎(chǔ)上，諸多國產(chǎn)電源芯片廠商紛紛在合封氮化鎵芯片領(lǐng)域發(fā)力，在一顆芯片中集成了PWM控制器、驅(qū)動器以及氮化鎵功率器件，大大精簡了電源產(chǎn)品開發(fā)過程的電路設(shè)計，并有效降低了BOM成本，豐富了高集成度的氮化鎵電源芯片市場，有利于促進氮化鎵快充技術(shù)的普及。

根據(jù)充電頭網(wǎng)不完全統(tǒng)計，目前已有多家廠商推出數(shù)十款合封氮化鎵芯片，在即將舉辦的2022（春季）亞洲充電展上，也將迎來東科、茂睿芯、南芯、PI、必易微、杰華特、鈺泰、力生美、Elevation、亞成微、通嘉、美思迪賽、華源智信、維普、硅動力、創(chuàng)芯微、強弦共17家知名電源廠商，分享并展示最新推出的合封氮化鎵芯片和相關(guān)技術(shù)分享。

A12、13、14、15展位：東科半導(dǎo)體（安徽）股份有限公司

東科半導(dǎo)體(安徽)股份有限公司，成立于2009年10月，主要從事高頻高效綠色電源IC和大功率電源IC的設(shè)計、生產(chǎn)、制造和銷售。是由業(yè)界資深專家共同組建，擁有國內(nèi)、外頂尖人才的技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化隊伍。公司總部位于安徽省馬鞍山市，技術(shù)及銷售部門分設(shè)于深圳、無錫、青島、臺灣、印度等國內(nèi)外多個地區(qū)。東科著眼于客戶需求，立足中國，面向世界，致力于創(chuàng)造完美價值鏈，服務(wù)全球電源IC市場。東科智造，創(chuàng)“芯”前行 Power your future!

公司成立以來，一直堅持自主創(chuàng)新的核心路線，專注技術(shù)研發(fā)，形成了多項專利壁壘、電源類自供電技術(shù)壁壘、多芯片合封技術(shù)壁壘的自我保護機制，建成了集研發(fā)、設(shè)計、封測、銷售為一體的綜合科技創(chuàng)新體系，旗下所有產(chǎn)品都擁有完整的自主知識產(chǎn)權(quán)。東科以優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和專業(yè)的服務(wù)，樹立了良好的品牌形象，積累了科研院校、一流企業(yè)等高端客戶群體和長期合作伙伴。

10年的精心培育，東科已擁有5100平方米的廠房規(guī)模，8條現(xiàn)代化封裝生產(chǎn)線，芯片月產(chǎn)量達5千萬片。2019年，二期5200平方米廠房即將投入使用，12條封裝生產(chǎn)線同時運作，芯片月產(chǎn)量將達到1億片。同時，公司積極籌建可靠性分析重點實驗室，打造集成電路企業(yè)平臺，服務(wù)周邊封測企業(yè)，為完善區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈，推動產(chǎn)業(yè)互聯(lián)互動、協(xié)作共贏開辟了航道。

科技浪潮生生不息，芯業(yè)發(fā)展永不止步。東科不斷壯大完善多元管理團隊、研發(fā)設(shè)計團隊、技術(shù)支持團隊。以高瞻遠矚的目光謀篇布局，以開拓進取的氣度勇往直前，以人才和技術(shù)為堅實兩翼，用“務(wù)實、精進”的匠心，做“求是、創(chuàng)新”的事業(yè)。攜手東科，共創(chuàng)國內(nèi)電源管理IC產(chǎn)業(yè)“芯”未來。

DK025G

DK025G是一款高度集成了650V/800mΩ GaN HEMT的準諧振反激控制ACDC功率開關(guān)芯片。DK025G檢測功率管漏極和源極之間的電壓VDS,當VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾(EMI)。芯片最高支持250KHz開關(guān)頻率，芯片內(nèi)部集成氮化鎵開關(guān)管、控制器、驅(qū)動器、高壓啟動電路和保護單元。

DK025G采用ESOP8封裝，可通過PCB銅箔散熱，簡化散熱要求，降低溫升。這款芯片廣泛應(yīng)用于高功率密度快速充電器，筆記本電腦，平板電腦和機頂盒等產(chǎn)品的適配器。

DK025G極大的簡化了反激式ACDC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK025G具備完善的保護功能：輸出過壓保護(OVP)，VCC過欠壓保護，過溫保護(OTP)，開環(huán)保護，輸出過流保護(OCP)等。

DK036G

東科推出的DK036G是一款高度集成的QR反激合封氮化鎵芯片，芯片內(nèi)部集成650V 400mΩ氮化鎵開關(guān)管、控制器、驅(qū)動器、高壓啟動電路和保護單元。芯片通過內(nèi)部快速頻率折返功能來調(diào)制最小峰值電流，達到快速降低開關(guān)頻率的目的，從而有效降低系統(tǒng)在輕載下的損耗，提升系統(tǒng)的效率。芯片采用130KHz PWM開關(guān)頻率，可以有效縮小充電器的變壓器體積，得到性能和成本的平衡。DK036G內(nèi)置過熱、過流、過壓和輸出短路、次級開路保護功能，采用ESOP8封裝形式，可通過PCB銅箔散熱，簡化散熱要求，降低溫升。可以廣泛應(yīng)用于PD快充和電源適配器。

DK045G

東科DK045G是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT 的準諧振反激控制 ACDC 功率開關(guān)芯片，支持45W及以下功率應(yīng)用。DK045G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當 VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。東科DK045G采用PDFN56封裝模式，可廣泛應(yīng)用于高功率快充充電器，筆記本平板等適配器以及輔助和待機電源。

DK045G 極大的簡化了反激式 ACDC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK045G 具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過欠壓保護，過溫護（OTP），開環(huán)保護，輸出過流保護（OCP）等。

DK065G

東科DK065G是一款高度集成了 650V/260mΩ GaN HEMT 的準諧振反激控制 ACDC 功率開關(guān)芯片，支持65W及以下功率應(yīng)用。DK065G 檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當 VDS達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾（EMI）。東科DK065G采用PDFN88封裝模式，可廣泛應(yīng)用于高功率快充充電器，筆記本平板等適配器以及輔助和待機電源。

DK065G極大的簡化了反激式ACDC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計和制造，尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK065G具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC過欠壓保護，過溫保護（OTP），開環(huán)保護，輸出過流保護（OCP）等。

B49、50、67、68展位：茂睿芯（深圳）科技有限公司

茂睿芯（深圳）科技有限公司是一家專業(yè)的模擬和混合信號集成電路設(shè)計、研發(fā)、銷售與技術(shù)服務(wù)公司，總部設(shè)在深圳。公司由半導(dǎo)體業(yè)界資深專家團隊創(chuàng)立，其核心成員均具有歐美及國內(nèi)一流半導(dǎo)體公司豐富工作經(jīng)驗和業(yè)績。

茂睿芯定位于高性能電源管理，致力于特色差異化的產(chǎn)品，目前在大功率PD快充、數(shù)據(jù)中心電源、新能源BMS、充電樁模塊等應(yīng)用中取得國內(nèi)領(lǐng)先模擬芯片品牌地位。

MK2787

MK2787是專為PD快充應(yīng)用優(yōu)化的高頻QR功率開關(guān)。芯片內(nèi)部集成控制器和650V 480mΩ氮化鎵開關(guān)管。其很寬的VCC工作電壓范圍（9V90V）可以使其覆蓋PD/PPS 從3.3V23V的輸出范圍而不需要使用額外的繞組或者線性降壓電路，簡化電源設(shè)計。

MK2787針對于能效要求，由于PD快充有多個不同的輸出電壓，因此采用了自適應(yīng)的多模式。其在不同負載以及不同輸出下，調(diào)整工作于DCM/QR。在輕載時則會工作于burst模式，以提升效率。MK2787提供了全面的保護功能,有輸出OVP，OPP， VCC OVP，BROWNIN/OUT，還提供了副邊SR短路保護等。芯片可以廣泛應(yīng)用于AC/DC適配器和高功率密度電源。

MK2788

MK2788是專為PD快充應(yīng)用優(yōu)化的高頻QR功率開關(guān)。采用DFN56封裝模式，內(nèi)部集成650V 480mΩ氮化鎵開關(guān)管。MK2788支持990V的寬范圍供電電壓，可以使其覆蓋PD/PPS 從3.3V23V的輸出范圍而不需要使用額外的繞組或者線性降壓電路。

針對于能效要求，由于PD快充有多個不同的輸出電壓，因此采用了自適應(yīng)的多模式。其在不同負載以及不同輸出下，調(diào)整工作于DCM/QR。在輕載時則會工作于burst模式，以提升效率。MK2788可廣泛適用于AC/DC適配器以及高功率密度電源。MK2788提供了全面的保護功能,有輸出OVP，OPP，VCC OVP，BROWNIN/OUT，還提供了副邊SR短路保護等。

C72、73、86、87展位：上海南芯半導(dǎo)體科技股份有限公司

上海南芯半導(dǎo)體科技股份有限公司，成立于上海浦東張江高科技園區(qū)，是一家專注于電源和電池管理的高性能國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)計公司，擁有Charge pump、DCDC、ACDC、有線充電、無線充電、快充協(xié)議、鋰電保護等多條產(chǎn)品線，基于自主研發(fā)的升降壓充電、電荷泵和GaN直驅(qū)等核心技術(shù)，推出了多款明星產(chǎn)品，得到業(yè)內(nèi)廣泛認可。

南芯能夠提供從AC到電池的端到端快充完整解決方案，產(chǎn)品覆蓋10W到200W整個范圍。其中電荷泵大功率快充系列產(chǎn)品率先打破國外壟斷，通過了國內(nèi)多個知名品牌手機廠家的嚴苛認證，并已實現(xiàn)大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn)；DC/DC類產(chǎn)品在工業(yè)類市場取得了豐碩的成績；無線/有線充電類產(chǎn)品也已經(jīng)通過車規(guī)認證，打入國產(chǎn)汽車前裝市場。

南芯擁有強大的研發(fā)及系統(tǒng)團隊、獨立的品質(zhì)管控團隊、以及貼近客戶的銷售和支持團隊，為高質(zhì)量的產(chǎn)品開發(fā)設(shè)計保駕護航。南芯也得到了上下游產(chǎn)業(yè)鏈與資本的廣泛認可與支持，獲得了小米、OPPO，VIVO，中芯聚源、上海集成電路產(chǎn)業(yè)基金、紅杉資本等的資源和資本加持，極大助力公司持續(xù)、快速成長，以及可靠的供貨保證。

南芯產(chǎn)品已在小米、榮耀、OPPO、聯(lián)想、三星、大疆、Anker，紫米等國內(nèi)外知名品牌的產(chǎn)品中頻頻亮相，并助力多款產(chǎn)品入駐Apple Store，證明了南芯產(chǎn)品在性能、品質(zhì)和成本等方面的諸多優(yōu)勢。南芯秉承不斷提高，不停創(chuàng)新的企業(yè)文化，致力于為客戶提供高性能、高品質(zhì)與高經(jīng)濟效益的系統(tǒng)解決方案。

南芯，為效率而生。

SC3055

SC3055是南芯高性能SSR 高頻QR控制器與GaN功率器件的完美結(jié)合，更加利于發(fā)揮GaN器件低阻抗、低開關(guān)損耗的優(yōu)良性能；QR工作模式，可支持135kHz開關(guān)頻率；提高系統(tǒng)的功率密度，滿足日趨小型化的需求；特有的降頻策略，使得全功率范圍獲得理想的轉(zhuǎn)換效率。采用SOP7封裝，體積小巧，方便工程師制作樣機。這顆芯片可開發(fā)成25W以下小功率USB PD、QC快充充電器，也可以開發(fā)成ACDC適配器。

SC3056

南芯SC3056是一顆高頻準諧振反激轉(zhuǎn)換器，具有高能效和高可靠性，源自南芯半導(dǎo)體的SC305x系列。SC3056內(nèi)部集成650V耐壓的氮化鎵開關(guān)管，可輕松驅(qū)駕30W~40W輸出功率范圍。

SC3056工作在QR和DCM模式下，谷底開通以提高效率；提供自適應(yīng)的頻率折返用于實現(xiàn)全負載范圍內(nèi)的高效率；無負載時，芯片以突發(fā)模式運行，降低待機功耗。轉(zhuǎn)換器內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)超低的待機功耗和超快的啟動速度。同時集成軟啟動電路，以及用于超寬輸出范圍的分段式供電電路。在突發(fā)和故障模式下具有超低的工作電流，滿足待機能效要求。最高工作頻率為175KHz，大幅降低磁性器件的體積和成本。全功率范圍具備抖頻功能，用以改善EMI性能。

南芯SC3056內(nèi)置0.36歐姆650V氨化鎵功率器件，在寬輸入范圍下，可支持30W~45W的應(yīng)用，為USB PD快充與開關(guān)電源應(yīng)用提供高能效小體積的解決方案。可廣泛應(yīng)用于USBPD和QC快充充電器，也可以適用于ACDC的電源適配器。

SC3057

南芯SC3057合封氮化鎵芯片將高性能多模式反激控制器、氮化鎵驅(qū)動、氮化鎵開關(guān)管、供電和保護等電路集成在一顆散熱增強的QFN68封裝內(nèi)部。極大減少了外圍元器件數(shù)量，PCBA面積減少50%以上，并消除傳統(tǒng)驅(qū)動走線寄生參數(shù)對高頻開關(guān)的影響，使得氮化鎵的性能得以進一發(fā)揮。

南芯SC3057采用功率走線和控制走線分開的設(shè)計，降低高頻開關(guān)對控制回路的影響，并通過優(yōu)化的焊盤設(shè)計，優(yōu)化充電器走線設(shè)計與電氣性能，簡化設(shè)計開發(fā)。南芯SC3057內(nèi)置165mΩ氮化鎵開關(guān)管，支持175KHz開關(guān)頻率，并支持X電容放電，滿足65W快充應(yīng)用。這款芯片可廣泛應(yīng)用于USBPD和QC快充充電器，也可以適用于ACDC的電源適配器。

B29、30：Power Integrations

Power Integrations, Inc.是一家專注于高壓電源管理及控制領(lǐng)域的高性能電子元器件及電源方案的供應(yīng)商，總部位于美國硅谷。我們所推出的集成電路和二極管為包括移動設(shè)備、家電、智能電表、LED燈以及工業(yè)應(yīng)用的眾多電子產(chǎn)品設(shè)計出小巧緊湊的高能效ACDC電源。我們的SCALE門極驅(qū)動器可提高大功率應(yīng)用的效率、可靠性和成本效益，其應(yīng)用領(lǐng)域包括工業(yè)電機、太陽能和風(fēng)能系統(tǒng)、電動汽車和高壓直流輸電等。

自1998年問世以來，Power Integrations的EcoSmart節(jié)能技術(shù)已節(jié)省了數(shù)十億美元的能耗，避免了數(shù)以百萬噸的碳排放。由于我們的產(chǎn)品對環(huán)境保護的作用，Power Integrations的股票已被歸入到由Cleantech Group LLC及Clean Edge贊助的環(huán)保技術(shù)股票指數(shù)下。

SC1933C

SC1933C芯片內(nèi)置GaN功率器件，支持寬電壓輸入范圍下65W輸出。采用InSOP24D封裝，集成高壓啟動和X電容放電功能，廣泛應(yīng)用于快充充電器，可應(yīng)用到USBPD快充設(shè)備和快充需求的手機充電器。

SC1933C無需外圍元件即可提供精確的恒壓/恒流/恒功率，并輕松與外接快充協(xié)議接口IC協(xié)同工作，因此適用于高效率反激式設(shè)計，內(nèi)置同步整流控制器和反饋，更加節(jié)省外部元件。

INN3278C

INN3278C采用InSOP24D封裝。集成高壓啟動功能，廣泛應(yīng)用于快充充電器。INN3278C是一顆內(nèi)部集成初級開關(guān)，同步整流控制器，反饋和恒功率特性的準諧振反激電源IC。其內(nèi)部集成750V PowiGaN開關(guān)管，支持在密閉環(huán)境寬電壓范圍內(nèi)輸出55W功率。

INN3278C待機功耗小于30mW，支持次級整流管短路保護，支持同步整流管柵極開路檢測，具有快速的動態(tài)負載響應(yīng)和輸入欠壓/過壓保護，并且內(nèi)置完善全面的保護功能。

InnoSwitch3CP系列器件集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷。所提供的器件均支持領(lǐng)存與自動重啟動的常用組合，這是快充和USB PD設(shè)計等應(yīng)用所要求的特性。所提供的器件提供輸出線壓降補償選項。

INN4075C

主控芯片INN4075C采用InSOP24D封裝。集成高壓啟動功能，支持最大105W輸出。這是新一代InnoSwitch4系列芯片，應(yīng)用于有源鉗位反激架構(gòu)，可實現(xiàn)主開關(guān)管的零電壓開關(guān)，降低器件溫升。同時優(yōu)化EMI性能，非常適合小體積，高工作頻率的開關(guān)電源設(shè)計。

InnoSwitch4CZ是零電壓開關(guān)的集成反激芯片，內(nèi)部集成750V高壓PowiGaN開關(guān)、有源鉗位驅(qū)動、同步整流和FluxLink反饋，與ClampZero有源鉗位芯片搭配使用，將漏感能量回收，可實現(xiàn)高達95%的轉(zhuǎn)換效率。

InnoSwitch4CZ系列器件集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷。所提供的器件均支持領(lǐng)存與自動重啟動的常用組合，這是快充和USB PD設(shè)計等應(yīng)用所要求的特性。所提供的器件提供輸出線壓降補償選項。

MIN1072M

芯片MIN1072M采用MinSOP16A封裝，集成高壓啟動功能，最大支持75W輸出，廣泛應(yīng)用于快充充電器。

MIN1072M芯片通過使用MinECAP器件，可以使用低壓大容量電容與高壓小電容組合應(yīng)用，從而減小濾波電容體積，與PI電源芯片共同使用可減少元件數(shù)量，實現(xiàn)高功率密度的開關(guān)電源設(shè)計。

MIN1072M芯片集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷。所提供的器件均支持領(lǐng)存與自動重啟動的常用組合，這是快充和USB PD設(shè)計等應(yīng)用所要求的特性。所提供的器件提供輸出線壓降補償選項。

B47、48展位：深圳市必易微電子股份有限公司

深圳市必易微電子股份有限公司擁有半導(dǎo)體領(lǐng)域的資深專家和高效的管理團隊，主要從事高性能模擬及數(shù)模混合集成電路的研發(fā)和銷售，在杭州、廈門、上海、中山等地設(shè)有研發(fā)中心及分支機構(gòu)。

必易微高度重視知識產(chǎn)權(quán)的開發(fā)和保護，已擁有多項集成電路和系統(tǒng)應(yīng)用的國際、國內(nèi)專利。主營產(chǎn)品包括 ACDC、DCDC、驅(qū)動 IC、線性穩(wěn)壓、保護芯片、電池管理等，為消費，工業(yè)，通訊及計算機等領(lǐng)域客戶提供完整電源解決方案和系統(tǒng)集成。

科技改善生活。必易微尊重人才、重用人才，以客戶為中心，始終堅持“獨特創(chuàng)新、易于使用”的公司理念，創(chuàng)新芯領(lǐng)域，引領(lǐng)芯發(fā)展，力爭成為全球卓越的芯片設(shè)計企業(yè)。

KP22062

KP22062是一款集成GaN FET的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成驅(qū)動調(diào)節(jié)功能，可調(diào)節(jié)GaN FET導(dǎo)通時驅(qū)動速度，優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。KP22062采用小體積的DFN 56mm封裝，適用于高頻高功率密度的寬輸入/輸出范圍交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計。

KP22062的工作頻率最高可達500kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片支持超寬 VDD供電范圍9112V。芯片直接檢測交流輸入電壓，可提供快速啟動功能，X電容放電功能和小于30mW的待機功耗。

KP22062集成有完備的保護功能，包括: VDD欠壓保護(UVLO).VDD過壓保護(VDD OVP)、輸入欠壓保護(BOP)、輸入過壓保護(LOVP)、輸出過壓保護(OVP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、過載保護(OLP)、輸出過流保護(SOCP)、內(nèi)置過熱保護(OTP)、CS管腳開路保護等。

KP22064/KP22066

KP22064/KP22066是集成了GaN FET的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。芯片集成驅(qū)動調(diào)節(jié)功能，可調(diào)節(jié)GaN FET導(dǎo)通時驅(qū)動速度，優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能。KP22064/KP22066都采用小體積的DFN 88 mm封裝，適用于高頻高功率密度的寬輸入/輸出范圍交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計。

KP22064/KP22066的工作頻率最高可達500kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片支持超寬VDD供電范圍9112V。芯片直接檢測交流輸入電壓，可提供快速啟動功能，X電容放電功能和小于 30mW的待機功耗。

KP22064/KP22066集成有完備的保護功能，包括: VDD欠壓保護(UVLO) VDD過壓保護(VDD OVP)、輸入欠壓保護(BOP)、輸入過壓保護(LOVP)、輸出過壓保護(OVP)、逐周期電流限制(OCP)、異常過流保護(AOCP)、過載保護(OLP)、輸出過流保護(SOCP)、內(nèi)置過熱保護(OTP)、CS 管腳開路保護等。

A09展位：杰華特微電子股份有限公司

杰華特微電子股份有限公司成立于2013年3月，注冊資本38,880萬元，公司是以虛擬IDM為主要經(jīng)營模式的模擬集成電路設(shè)計企業(yè)，專業(yè)從事模擬集成電路的研發(fā)與銷售。公司總部位于杭州，在成都、上海、深圳、珠海、廈門、南京、張家港等地設(shè)有分支機構(gòu)。

公司具備包括芯片和系統(tǒng)設(shè)計技術(shù)、晶圓制造工藝在內(nèi)的完整核心技術(shù)架構(gòu)。目前公司產(chǎn)品以電源管理模擬芯片為主，在電源管理芯片領(lǐng)域擁有業(yè)界領(lǐng)先的全品類產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)能力與產(chǎn)品覆蓋廣度，并逐步拓展信號鏈芯片產(chǎn)品，致力于為各行業(yè)客戶提供高效率、高性能、高可靠性的一站式模擬集成電路產(chǎn)品解決方案。

公司堅持面向全應(yīng)用領(lǐng)域開發(fā)模擬集成電路產(chǎn)品，隨著產(chǎn)品數(shù)量的積累和技術(shù)能力的提升，公司下游應(yīng)用領(lǐng)域逐漸從消費電子向工業(yè)應(yīng)用、計算機及存儲以及汽車電子、通訊電子領(lǐng)域擴展。隨著公司的發(fā)展，公司同步開發(fā)電源管理芯片和信號鏈芯片，進一步加強面向工業(yè)、通訊及汽車電子領(lǐng)域供應(yīng)高性能芯片的能力。

公司始終堅持“創(chuàng)新技術(shù)、自主研發(fā)”技術(shù)戰(zhàn)略，截至2021年9月30日，公司已獲得專利365項，其中發(fā)明專利118項，集成電路布局設(shè)計登記證書49項，此外，公司在申請專利400余項，構(gòu)建起了較為完善的多品類模擬芯片產(chǎn)品自主研發(fā)體系。

公司目前通過ISO9001質(zhì)量體系認證、ISO14001環(huán)境管理體系認證；是高新技術(shù)企業(yè)、工業(yè)和信息化部認定的專精特新“小巨人”企業(yè)、2016浙江省成長性科技型百強企業(yè)、杭州市企業(yè)高新技術(shù)研發(fā)中心、杭州市企業(yè)技術(shù)中心、杭州市專利示范企業(yè)。

JW1565

杰華特JW1565采用 68mm WDFN封裝，是一款高集成QR模式合封氮化鎵芯片，內(nèi)部集成了650V，260mΩ氮化鎵功率器件，最大工作頻率為260kHz。QR控制通過降低開關(guān)損耗來提高效率，并通過自然頻率變化提高 EMI 性能，同時也可以通過內(nèi)部最大頻率限制來克服QR反激的固有缺點。

杰華特JW1565包含一個用于啟動的HV引腳，以消除傳統(tǒng)的啟動電阻并節(jié)省待機模式能耗。符合嚴格的效率法規(guī)。此外，當交流輸入被移除時，HV引腳用于X電容放電，這有助于減少X電容電損耗并實現(xiàn)極低的待機功耗。

JW1566A

杰華特合封氮化鎵芯片JW1566A，在DFN56的封裝內(nèi)部集成了反激控制器，氮化鎵驅(qū)動器和氮化鎵功率管，準諧振反激可降低開關(guān)損耗，改善EMI，并提高能效。

杰華特JW1566A內(nèi)置650V耐壓，480mΩ氮化鎵開關(guān)管，芯片支持最高90V供電電壓，最高開關(guān)頻率可達260kHz，內(nèi)置高壓啟動電路，具有超低的待機功耗。杰華特JW1566A集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷。所提供的器件均支持領(lǐng)存與自動重啟動的常用組合，這是快充和USB PD設(shè)計等應(yīng)用所要求的特性。所提供的器件提供輸出線壓降補償選項。

A10展位：鈺泰半導(dǎo)體股份有限公司

鈺泰半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“公司”）主要從事電源管理類芯片的研發(fā)與銷售，致力于向客戶提供性能優(yōu)越、功能豐富、品質(zhì)穩(wěn)定的多品類、全系列電源管理芯片及解決方案。公司由美國Maxim頂尖設(shè)計人員創(chuàng)立，在上海張江、美國硅谷、越南河內(nèi)設(shè)有研發(fā)中心，有國內(nèi)外近百位芯片研發(fā)設(shè)計人員；客戶支持團隊包括售前支持與售后服務(wù)，分別在上海、深圳、西安和杭州設(shè)有銷售中心。

目前，公司已有在售產(chǎn)品覆蓋DC/DC功率轉(zhuǎn)換器、AC/DC功率轉(zhuǎn)換器、LDO、電池管理芯片、PMU等電源管理細分領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于智能電表、安防產(chǎn)品、機頂盒、路由器、手機、TWS耳機、移動電源等終端產(chǎn)品，覆蓋工業(yè)、消費、通信等多個市場領(lǐng)域，是國內(nèi)少數(shù)可以提供全系列電源管理芯片產(chǎn)品的公司之一，也是國內(nèi)智能電表、安防、手機、機頂盒、路由器、智能穿戴設(shè)備等領(lǐng)域的主要電源管理芯片供應(yīng)商之一。

通過長期自主研發(fā)和技術(shù)創(chuàng)新，公司在電源管理類模擬芯片所涉及的各個細分領(lǐng)域均形成了強大的技術(shù)積累，構(gòu)建了較為全面的技術(shù)架構(gòu)；公司產(chǎn)品在耐壓強度、功率密度、靜態(tài)功耗等核心指標上持續(xù)不斷地實現(xiàn)技術(shù)突破。

公司在國內(nèi)市場中率先或較早地推出了強制ZVS/QR寬電壓ACDC控制芯片，真關(guān)斷同步升壓芯片，同步開關(guān)型充電芯片，1μA超低待機功耗的升壓/降壓芯片，1‰調(diào)光精度LED同步升壓背光驅(qū)動芯片，超大功率密度SOT563封裝的同步COT降壓芯片，鋰電池充電放電管芯片，電池均衡芯片，集成升壓、降壓、LDO、充電的多路輸出PMU芯片等產(chǎn)品。

ETA80G20

鈺泰ETA80G20是一顆高性能峰值電流模式控制器，內(nèi)置1.15Ω Dmode氮化鎵開關(guān)管，準諧振開關(guān)搭配頻率折返提升EMI表現(xiàn)并提升效率，滿足六級能效標準。

ETA80G20采用QR/CCM多模式運行，具有超低的待機功耗，優(yōu)秀的動態(tài)響應(yīng)和精確電壓調(diào)節(jié)。芯片內(nèi)置快速啟動功能。ETA80G20集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷。ETA80G20滿足24W應(yīng)用，非常適合在20W 迷你PD快充中使用，溫升較低。

ETA80G25

鈺泰半導(dǎo)體ETA80G25采用SSOP10封裝，內(nèi)置650V耐壓，850mΩ Dmode氮化鎵開關(guān)管。內(nèi)部開關(guān)管漏極連接大面積銅箔散熱，可實現(xiàn)良好的散熱并滿足絕緣耐壓要求。

ETA80G25支持90264V輸入，支持27W功率輸出。芯片支持CCM/QR/DCM運行模式，滿載最高開關(guān)頻率80kHz，輕載下支持頻率折返控制，可實現(xiàn)全功率范圍內(nèi)的高效率。ETA80G25集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷。所提供的器件均支持鎖存與自動重啟動的常用組合，這是快充和USB PD設(shè)計等應(yīng)用所要求的特性。所提供的器件提供輸出線壓降補償選項。

A16展位：深圳市力生美半導(dǎo)體股份有限公司

力生美半導(dǎo)體 ( Lii Semiconductor ) 是一家專注于電源/功率管理集成電路設(shè)計、銷售與技術(shù)服務(wù)的國家級高新技術(shù)企業(yè)，2010年成立于深圳，總部位于深圳市南山智園崇文園區(qū)內(nèi)，并在蘇州設(shè)有企業(yè)研發(fā)中心，在慈溪/順德/東莞設(shè)有技術(shù)支持服務(wù)中心，力生美始終致力于為客戶提供高效能、高可靠性、高可用性的系列開關(guān)電源IC產(chǎn)品，同時提供一站式的應(yīng)用解決方案和現(xiàn)場技術(shù)支持服務(wù)，為電子電器廠商賦能，助力提高用戶的綜合競爭力。

依托公司領(lǐng)先的技術(shù)創(chuàng)新能力和多年的技術(shù)積累，先后在市場上推出多款具有領(lǐng)先優(yōu)勢的產(chǎn)品系列，包括交流過零PWM開關(guān)系列、大功率內(nèi)置開關(guān)TSIP7封裝系列、130kHz內(nèi)置MOS高頻PSR系列、PDPAK8內(nèi)置MOS大功率PWM開關(guān)系列等，產(chǎn)品覆蓋家電、充電器、適配器、電動工具、快充、網(wǎng)通、IOT等領(lǐng)域。

目前在售產(chǎn)品已覆蓋0120W多種功率等級開關(guān)電源IC及解決方案，獲得市場與用戶的廣泛認可，2022年力生美還將推出大功率的諧振電源IC及第三代半導(dǎo)體技術(shù)的內(nèi)置氮化鎵GaN產(chǎn)品系列。

我們將始終秉持科技創(chuàng)新導(dǎo)向，致力于為市場提供節(jié)能高效的功率管理IC產(chǎn)品，助力降低碳排放，為建設(shè)更加美好的地球而努力。

LN9T28xF

LN9T28xF是一款高性能、高度集成的電流模式 PWM 控制器，內(nèi)部集成了700V氮化鎵功率器件，可輕松構(gòu)建低待機功耗、低成本、高性能的解決方案，以滿足應(yīng)用中的 CoC V5 和 DoE VI 能效。

芯片PWM開關(guān)頻率由芯片內(nèi)部設(shè)定，具有全溫度補償，最大值設(shè)置為130kHz。在空載或輕載條件下，集成電路可工作于智能中斷模式，以降低開關(guān)損耗，從而在具有較低待機功耗的同時實現(xiàn)良好的轉(zhuǎn)換效率。

低 VDD 啟動電流和工作電流使 LN9T28xF 具有非常高的可靠性和使用壽命。可以使用阻值較大的電阻來完成電路的啟動，這樣也降低了啟動電阻的損耗，進一步降低了系統(tǒng)待機功耗。LN9T28xF 還提供了一個非常全面的自動恢復(fù)保護電路，包括逐周期電流限制 (0CP)、具有高低壓補償?shù)妮敵鲞^載保護 (OLP)、VDD 過壓鉗位和欠壓鎖定 (UVLO) 。

A32展位：Elevation

Elevation是一家高能效電源轉(zhuǎn)換芯片的供應(yīng)商，主要從事高能效電源管理芯片的研發(fā)和銷售。公司由從事電力電子半導(dǎo)體的資深專家?guī)ьI(lǐng)，研發(fā)團隊核心成員主要來自仙童和Power Integrations，團隊成員均擁有20年以上的設(shè)計開發(fā)經(jīng)驗，目前團隊還在快速發(fā)展。

Elevation的產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于通訊、工業(yè)、家電、消費電子等領(lǐng)域。目前公司已率先推出行業(yè)領(lǐng)先的高集成GaN (氮化鎵)功率器件的快充解決方案。

Elevation堅持以客戶為中心，用芯提供創(chuàng)新方案，助力全球電氣化新發(fā)展！

HL9550/HL9552/HL9554

HL9550/HL9552/HL9554都采用小體積的QFN 56mm封裝，適用于高頻高功率密度的寬輸入/輸出范圍交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計。適用于高效率反激設(shè)計，集成高壓啟動和X電容放電功能，HL9550最大功率支持65W，HL9552最大功率支持45W，HL9554最大支持30W。廣泛應(yīng)用于快速充電器和適配器。

HL9550系列合封芯片是一款反激式PWM控制器，可在準諧振（QR）模式和連續(xù)導(dǎo)流模式（CCM）下工作，從而提高系統(tǒng)效率和功率密度。HL9550系列芯片內(nèi)置650V GaN FET功率管，提供高效率解決方案，并具有寬VDD工作范圍，可覆蓋可變輸出模式應(yīng)用，支持USBPD PPS或傳統(tǒng)的DP/DN協(xié)議通信。

B64展位：陜西亞成微電子股份有限公司

亞成微電子股份有限公司，成立于2006年，是一家專注高速功率集成技術(shù)的高端模擬IC設(shè)計公司，總部位于西安，在廈門、深圳、寧波、中山等地設(shè)有研發(fā)中心或客戶支持中心。2014年1月在新三板掛牌（股票代碼：430552）。

亞成微專注高速功率集成技術(shù)設(shè)計領(lǐng)域，擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的“高速功率集成技術(shù)平臺”，已量產(chǎn)包括射頻功率放大器供電管理方案包括跟蹤芯片（ET）、智能功率開關(guān)芯片、AC/DC電源管理芯片、線性LED照明驅(qū)動芯片以及功率MOSFET 在內(nèi)五大產(chǎn)品線，可被廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、工業(yè)控制、汽車電子、消費電子以及LED照明等領(lǐng)域。

在USB PD快充領(lǐng)域，亞成微致力于為客戶提供高可靠性的高功率密度快充解決方案，目前已推出應(yīng)用于大功率快充的高集成度合封氮化鎵電源芯片RM6820NQ/RM6604ND系列，以及 EMode GaN FET直驅(qū)ZVS開關(guān)電源芯片RM6801系列和CCM/QR開關(guān)電源芯片RM6601系列；應(yīng)用于中小功率的全新升級版自供電雙繞組開關(guān)電源芯片RM673X系列（集成亞成微超結(jié)MOSRMX65R系列）；同時新一代大功率同步整流方案RM343X系列也已進入量產(chǎn)階段（最高350KHz工作頻率，支持200Ｗ快充輸出功率），完美適用于百瓦級以上氮化鎵快充產(chǎn)品，將有效提升快充產(chǎn)品功率密度并降低廠商的物料成本。

RM6820NQ

RM6820NQ是一款內(nèi)置650V GaN FET，高性能高可靠性電流控制型PM開關(guān)控制芯片，全電壓范圍內(nèi)待機功耗小于65mW，滿足六級能效標準，并且支持CCM/QR混合模式，專有ZVS技術(shù)降低GaN FET開關(guān)損耗,提高產(chǎn)品效率及功率密度,改善產(chǎn)品EMI。

RM6820NQ集成多種工作模式，在重載情況下，系統(tǒng)工作在傳統(tǒng)的固頻130Khz的PWM模式下，在低壓輸入時會進入CCM模式；在重載情況下，系統(tǒng)工作在R模式，并采用專有ZVS技術(shù)，以降低開關(guān)損耗，同時結(jié)合PFM工作模式提高系統(tǒng)效率；RM6820NQ采用專有的驅(qū)動技術(shù)，搭配高壓GaNFET功率器件改善EMI設(shè)計；在輕載或空載情況下，系統(tǒng)工作在Burst Mode模式，有效去除音頻噪音，同時在該模式下，RM6820NQ本身損耗極低，因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善EMI。

RM6820NQ同時集成了多種保護模式和補償電路，包括 VCC OVP，內(nèi)置OTP過熱保護，外置OVP，欠壓鎖定(uvlo)，逐周期過流保護OCP，過載保護(OLP)，CS短路保護，輸出肖特基短路保護等，并內(nèi)置斜坡補償和ZVS線電壓補償。

RM6820NQL

RM6820NQL是一款內(nèi)置650V GaN FET，高性能高可靠性電流控制型PWM開關(guān)控制芯片，全電壓范圍內(nèi)待機功耗小于65mW，滿足六級能效標準，并且支持CCM/QR混合模式，專有ZVS技術(shù)降低GaN FET開關(guān)損耗，提高產(chǎn)品效率及功率密度，改善產(chǎn)品EMI。

RM6820NQL同時集成了多種保護模式和補償電路，包括VOC OVP，內(nèi)置OTP，外置OVP，欠壓鎖定(uvlo) ，逐周期過流保護OCP，過載保護(OLP)，CS短路保護，輸出肖特基短路保護等，并內(nèi)置斜坡補償和ZVS線電壓補償。

RM6604ND

亞成微RM6604ND/NDL是一款集成了650V GaN FET、氮化鎵驅(qū)動器、驅(qū)動保護以及高壓啟動的氮化鎵功率集成電源芯片，CCM/QR反激運行模式，支持最大36W快充，全電壓范圍內(nèi)待機功耗小于 65mW，滿足六級能效標準，具有小體積、高效率、高性能、低功耗等特點，滿足快充電源小型化設(shè)計要求。此外，芯片采用DFN56封裝，成本更為優(yōu)異。

亞成微RM6604ND/NDL集成多種工作模式，在重載情況下，系統(tǒng)工作在傳統(tǒng)的固頻130Khz/85KHz的 PWM模式下，在低壓輸入時會進入CCM模式；在重載情況下，系統(tǒng)工作在QR模式，以降低開關(guān)損耗，同時結(jié)合PFM工作模式提高系統(tǒng)效率。

RM6604ND同時集成了多種保護模式和補償電路，包括 VCC OVP，內(nèi)置0TP，外置OVP，欠壓鎖定(uvlo)，逐周期過流保護OCP，過載保護(OLP)，CS短路保護，輸出肖特基短路保護等，并內(nèi)置斜坡補償。

RM6604NDL

RM6604NDL采用專有的驅(qū)動技術(shù)，搭配高壓 GaNFET功率器件改善EMI設(shè)計；在輕載或空載情況下，系統(tǒng)工作在BurstMode模式，有效去除音頻噪音，同時在該模式下，RM6604NDL本身損耗極低，因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下，都集成了特有的抖頻工作模式，以改善EMI。

RM6604NDL同時集成了多種保護模式和補償電路，包括VCC OVP，內(nèi)置OTP，外置OVP，欠壓鎖定(uvlo)，逐周期過流保護OCP，過載保護(OLP)，CS短路保護，輸出整流管短路保護等，并內(nèi)置斜坡補償。

RM6604NDQ

RM6604NDQ是一款內(nèi)置650V GaN FET，高性能高可靠性的電流控制型PWM開關(guān)控制芯片，全電壓范圍內(nèi)待機功耗小于65mW，滿足六級能效標準,QR工作模式，提高產(chǎn)品效率及功率密度，改善產(chǎn)品EMI。

RM6604NDQ集成多種工作模式,在重載情況下,系統(tǒng)工作在傳統(tǒng)的固頻130Khrz 的PWM模式下；在重載情況下，系統(tǒng)工作在QR模式，以降低開關(guān)損耗.同時結(jié)合PFM工作模式提高系統(tǒng)效率；RM6604NDQ采用專有的驅(qū)動技術(shù)，搭配高壓GaNFET功率器件改善EMI設(shè)計：在輕載或空載情況下，系統(tǒng)工作在 Burst Mode模式，有效去除音頻噪音，同時在該模式下，RM6604NDQ本身損耗極低，因此可以做到超低待機功耗。在任何模式下，都集成了特有抖頻工作模式，以改善EMI。

RM6604NDQ同時集成了多種保護模式和補償電路，包括 VCC OVP，內(nèi)置0TP，外置 OVP，欠壓鎖定(uvlo)，逐周期過流保護OCP，過載保護(OLP)，輸出肖特基短路保護等，并內(nèi)置斜坡補償。

B73展位：通嘉科技（深圳）有限公司

通嘉科技做為獨立的電源管理IC供應(yīng)商，從「綠色電源，珍愛地球」的愿景出發(fā)，聚焦于ACDC中大功率最佳完整解決方案，用心了解環(huán)衛(wèi)議題與產(chǎn)業(yè)趨勢的變化，致力碳中和凈零目標，透過領(lǐng)先的技術(shù)專利，與合作伙伴的共同努力，布局全球，將科技與環(huán)衛(wèi)結(jié)合，不斷創(chuàng)新。

通嘉科技的產(chǎn)品涵蓋通信手機、網(wǎng)路設(shè)備、筆記本、電視、民生消費品等多元商業(yè)市場，提供完整的一站式服務(wù)方案與產(chǎn)品，讓生活充滿電力！

LD966L/M

LD966L/M是為驅(qū)動GaN FET設(shè)計的高頻高性能PWM控制器。芯片集成高精度GaN FET 驅(qū)動，可調(diào)節(jié)GaN FET導(dǎo)通時驅(qū)動速度，優(yōu)化系統(tǒng)EMI性能，芯片內(nèi)部集成650V氮化鎵開關(guān)管。LD966L/M采用小體積的QFN88封裝，適用于高頻高功率密度的寬輸入/輸出范圍交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計。可以廣泛應(yīng)用于AC/DC適配器和儲能電池。

LD966L/M的工作頻率最高可達227kHz，可全范圍工作在準諧振模式。芯片直接檢測交流輸入電壓，可提供快速啟動功能，X電容放電功能和700V的高壓啟動。LD966L/M集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷。

B111展位：蘇州美思迪賽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

MIXDESIGN(美思迪賽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司)是一家技術(shù)領(lǐng)先的模擬和數(shù)字混合信號半導(dǎo)體設(shè)計企業(yè)。基于全球先進的半導(dǎo)體工藝制程和技術(shù)專注于功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)、測試、銷售等環(huán)節(jié)。

公司成立于2009年，總部位于蘇州工業(yè)園區(qū)獨墅湖高教區(qū)，公司的主要產(chǎn)品為高性能整合式ACDC電源控制芯片及相關(guān)產(chǎn)品。研發(fā)成員均來自于該領(lǐng)域國內(nèi)外著名的半導(dǎo)體廠商，核心成員具備深厚的集成電路設(shè)計及管理經(jīng)驗。

公司的核心價值是：為客戶提供穩(wěn)定、可靠同時具備卓越性價比的產(chǎn)品和解決方案，與客戶共同保持市場競爭優(yōu)勢。為保證產(chǎn)品參數(shù)的精確一致性，公司成立之初即自行投資設(shè)立先進的芯片中測（CP Test）、成品測試(FT)測試生產(chǎn)線，以及完備產(chǎn)品可靠性和品質(zhì)異常分析檢測設(shè)備系統(tǒng)，為公司產(chǎn)出的每一顆芯片提供有力的品質(zhì)保證。

MSG7511x

美思半導(dǎo)體MSG7511x屬于SimpleGaN系列，這是一款高性能 ACDC電源控制器，內(nèi)部集成了準諧振 (QR) 控制器，650V高性能氮化鎵功率器件，用于構(gòu)建峰值電流模式 PWM 反激式電源，針對高性能、低 EMl、低待機功耗和許多關(guān)鍵的內(nèi)置保護功能進行了優(yōu)化。它無需傳統(tǒng)的二次反饋電路即可實現(xiàn)嚴格的多級恒壓和多級恒流調(diào)節(jié)，還無需環(huán)路補償元件，同時在所有工作條件下保持穩(wěn)定性。這款芯片可廣泛應(yīng)用于AC/DC的快充和智能手機。

MSG7511x集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷。適用于快充電源適配器，可用于手機，筆記本電腦等便攜設(shè)備。

C10展位：華源智信半導(dǎo)體（深圳）有限公司

2018年，華源智信半導(dǎo)體（深圳）有限公司正式成立，該公司位于深圳市南山區(qū)南山科技園。華源智信半導(dǎo)體是一家行業(yè)領(lǐng)先的模擬和數(shù)模混合IC產(chǎn)品供應(yīng)商，聚焦顯示領(lǐng)域的電源芯片。公司核心人物來自于iWatt、Dialog和PI公司，擁有豐富的數(shù)字電源管理經(jīng)驗以及設(shè)計技術(shù)積累。

目前，該公司深耕于電源管理、數(shù)字電源以及家用電器電源管理等應(yīng)用領(lǐng)域，致力于為客戶提供高性能、高品質(zhì)、客制化的工業(yè)與消費電子產(chǎn)品解決方案，以打造成為從交流到直流一體化高效智慧節(jié)能的綜合電源管理解決方案供應(yīng)商。

HYC3601E/H

華源半導(dǎo)體HYC3601E/H內(nèi)置智能多模式數(shù)字控制，支持支持CCM/DCM/PFM/QR突發(fā)運行模式，以獲得效率和性能的平衡。芯片采用SOP7封裝。芯片內(nèi)部集成增強型高壓氮化鎵開關(guān)管，數(shù)字多模式反激控制器，通過合封的方式消除寄生參數(shù)對高頻開關(guān)造成的干擾，并減小外部元件數(shù)量，為氮化鎵快充提供精簡高效的電源方案。

HYC3601E/H內(nèi)置自適應(yīng)氮化鎵柵極驅(qū)動器，可平衡開關(guān)損耗和EMI，抖頻功能可改善EMI性能。芯片采用副邊反饋，滿足快充所需的寬電壓范圍輸出。內(nèi)置有豐富的保護功能，包括VCC供電過壓保護、變壓器磁飽和保護、取樣電阻短路保護、過熱保護、過載保護，輸出過電壓保護。

HYC3603601E/H待機功耗小于75mW，具有低啟動電流。并支持頻率反向控制技術(shù)，能夠提升高壓輸入的轉(zhuǎn)換效率。可用于充電器、USB PD快充，電視機及顯示器待機電源、筆記本適配器等應(yīng)用，提高能效并降低成本。

HYC3602E/H

華源半導(dǎo)體合封氮化鎵芯片HYC3602E/H采用ESOP8封裝，兼顧成本和散熱，內(nèi)置氮化鎵，貼合市場需求；在90Vac輸出時，滿載效率≥91.5%， 230Vac滿載效率≥ 93%，同時該芯片還具有LPS、OTP等多種保護功能。

HYC3602E/H待機功耗小于75mW，具有低啟動電流。并支持頻率反向控制技術(shù)，能夠提升高壓輸入的轉(zhuǎn)換效率。可用于充電器、USB PD快充，電視機及顯示器待機電源、筆記本適配器等應(yīng)用，提高能效并降低成本。

HYC3605E/H

華源半導(dǎo)體HYC3605E/H內(nèi)置智能多模式數(shù)字控制，支持支持CCM/DCM/PFM突發(fā)運行模式，以獲得效率和性能的平衡。芯片采用ESOP8封裝，體積小巧。芯片內(nèi)部集成高壓氮化鎵開關(guān)管，數(shù)字多模式反激控制器，通過合封的方式消除寄生參數(shù)對高頻開關(guān)造成的干擾，并減小外部元件數(shù)量，為氮化鎵快充提供精簡高效的電源方案。

HYC3605E/H內(nèi)置自適應(yīng)氮化鎵柵極驅(qū)動器，可平衡開關(guān)損耗和EMI，抖頻功能可改善EMI性能。芯片采用副邊反饋，滿足快充所需的寬電壓范圍輸出。內(nèi)置有豐富的保護功能，包括VCC供電過壓保護、變壓器磁飽和保護、取樣電阻短路保護、過熱保護、過載保護，輸出過電壓保護。

HYC3605E/H待機功耗小于75mW，具有低啟動電流。并支持頻率反向控制技術(shù)，能夠提升高壓輸入的轉(zhuǎn)換效率。可用于充電器、USB PD快充，電視機及顯示器待機電源、筆記本適配器等應(yīng)用，提高能效并降低成本。

HYC3606E/H

華源半導(dǎo)體HYC3606E/H內(nèi)置智能多模式數(shù)字控制，支持支持CCM/DCM/PFM/突發(fā)運行模式，以獲得效率和性能的平衡。芯片采用ESOP8封裝，體積小巧。芯片內(nèi)部集成高壓氮化鎵開關(guān)管，數(shù)字多模式反激控制器，通過合封的方式消除寄生參數(shù)對高頻開關(guān)造成的干擾，并減小外部元件數(shù)量，為氮化鎵快充提供精簡高效的電源方案。

HYC3606E/H內(nèi)置自適應(yīng)氮化鎵柵極驅(qū)動器，可平衡開關(guān)損耗和EMI，抖頻功能可改善EMI性能。芯片采用副邊反饋，滿足快充所需的寬電壓范圍輸出。內(nèi)置有豐富的保護功能，包括VCC供電過壓保護、變壓器磁飽和保護、取樣電阻短路保護、過熱保護、過載保護，輸出過電壓保護。

HYC3606E/H待機功耗小于75mW，具有低啟動電流。并支持頻率反向控制技術(shù)，能夠提升高壓輸入的轉(zhuǎn)換效率。可用于充電器、USB PD快充，電視機及顯示器待機電源、筆記本適配器等應(yīng)用，提高能效并降低成本。

HYC3655E/G/H/X

華源半導(dǎo)體HYC3655 E/G/H/X系列內(nèi)置智能多模式數(shù)字控制，支持支持CCM/DCM/PFM/突發(fā)運行模式，以獲得效率和性能的平衡。芯片可采用DFN6×8封裝，體積小巧。芯片內(nèi)部集成高壓氮化鎵開關(guān)管，數(shù)字多模式反激控制器，通過合封的方式消除寄生參數(shù)對高頻開關(guān)造成的干擾，并減小外部元件數(shù)量，為氮化鎵快充提供精簡高效的電源方案。

HYCHYC3655 E/G/H/X系列內(nèi)置自適應(yīng)氮化鎵柵極驅(qū)動器，可平衡開關(guān)損耗和EMI，抖頻功能可改善EMI性能。芯片采用副邊反饋，滿足快充所需的寬電壓范圍輸出。內(nèi)置有豐富的保護功能，包括VCC供電過壓保護、變壓器磁飽和保護、取樣電阻短路保護、過熱保護、過載保護，輸出過電壓保護。

HYC3655E/G/H/X系列支持650V的高壓啟動，并支持頻率反向控制技術(shù)，能夠提升高壓輸入的轉(zhuǎn)換效率。可用于充電器、USB PD快充，電視機及顯示器待機電源、筆記本適配器等應(yīng)用，提高能效并降低成本。

C43展位：深圳維普創(chuàng)新科技有限公司

深圳維普創(chuàng)新于2014 年成立于深圳，是一家專注于電源管理相關(guān)數(shù)模混合IC設(shè)計公司。產(chǎn)品涵蓋了DCDC功率轉(zhuǎn)換、鋰電池充電 BMS，無線充電，電荷泵快充，PD快充協(xié)議、 BLDC電機控制，等電源管理和信號處理領(lǐng)域。產(chǎn)品適用于消費性終端產(chǎn)品、手機，通信等領(lǐng)域。目前維普創(chuàng)新的高性能IC產(chǎn)品，已廣泛的應(yīng)用在各個領(lǐng)域眾多國內(nèi)外知名品牌如 Motorola，英國電信，美的，中興，Philips等產(chǎn)品中。

隨著持續(xù)的技術(shù)聚焦，和新產(chǎn)品拓展，經(jīng)過多年的技術(shù)沉淀，維普產(chǎn)品具備了和TI, NXP, 瑞薩等國外大廠同臺競技的實力。努力開拓新的工業(yè)，汽車等領(lǐng)域，正在邁向更精深的 SOC 芯片設(shè)計公司。

WP4001

WP4001采用了QFN26封裝模式，內(nèi)置高壓啟動和X電容放電，可以應(yīng)用到最大功率65W的充電器，支持650V的高壓啟動，最大工作頻率為500KHz，降低變壓器和輸出濾波電容的體積。可以廣泛應(yīng)用于QC快充和PD快充，也可應(yīng)用于手機和電腦的電源適配器。

WP4001運行在QR/DCM模式下，谷底開通以獲得高轉(zhuǎn)換效率和更佳的EMI表現(xiàn)，空載狀態(tài)下芯片會進入突發(fā)模式降低功率損耗。芯片內(nèi)置過熱保護等多種保護功能，采用QFN88封裝獲得良好的散熱性能。

C50展位：無錫硅動力微電子股份有限公司

無錫硅動力微電子股份有限公司成立于2003年6月，2007年2月完成股份制改造，注冊資金5500萬元。公司坐落于無錫市國家級高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)，占地30畝，建筑面積5000平米，距離蘇南碩放國際機場7公里，距離高鐵車站2公里，交通便利，物流發(fā)達。為更好的服務(wù)廣大客戶，在深圳設(shè)立了分公司。

硅動力擁有一支具有國內(nèi)外技術(shù)開發(fā)、經(jīng)營管理經(jīng)驗的優(yōu)秀人才隊伍，是工信部認定的集成電路設(shè)計企業(yè)，省科技廳認定的江蘇省高新技術(shù)企業(yè)，擁有省、市兩級工程技術(shù)中心。公司聘請了中國工程院院士許居衍先生為公司首席科學(xué)家。

公司擁有先進的集成電路設(shè)計及測試平臺，充分發(fā)揮數(shù)模混合及系統(tǒng)集成的技術(shù)優(yōu)勢，以市場為導(dǎo)向，開發(fā)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的優(yōu)質(zhì)電源管理集成電路產(chǎn)品，產(chǎn)品包含AC/DC、DC/DC、多節(jié)鋰電池保護芯片、高精度模擬檢測控制開關(guān)等綠色電源管理芯片，可廣泛應(yīng)用于智能手機快速充電器、5G通信適配器、智能電表、小家電、智能家居等領(lǐng)域。截至2021年12月，公司累計獲得發(fā)明和實用新型專利111項、正在受理專利31項、集成電路布圖設(shè)計權(quán)85項。

歷年來硅動力曾獲多項榮譽，榮獲工信部“十年中國芯（20012010）優(yōu)秀設(shè)計企業(yè)獎”；先后5次榮獲電子工程專輯“IC設(shè)計公司成就獎”；多次榮獲“無錫市十大優(yōu)秀設(shè)計企業(yè)獎”“無錫市十強IC設(shè)計企業(yè)”。

公司多款產(chǎn)品榮獲行業(yè)獎項。如《應(yīng)用于手機/MP3的FM接收芯片》、《高速紅外數(shù)據(jù)傳輸芯片》、《LED開關(guān)調(diào)色溫專用控制電路SP5432F》分別獲得第1屆、第4屆、第11屆“中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)獎”；《內(nèi)嵌USB的高保真多格式音頻解碼芯》獲工信部第六屆“中國芯”最佳潛質(zhì)獎；硅動力旗下SP2738CF電源轉(zhuǎn)換芯片獲得2021年工信部第十六屆“中國芯”芯火新銳產(chǎn)品獎。

公司產(chǎn)品堅持自主創(chuàng)新，同時與浙江大學(xué)、東南大學(xué)等國內(nèi)著名高校進行產(chǎn)、學(xué)、研合作。在2013年起與浙江大學(xué)建立了硅動力電源管理芯片聯(lián)合實驗室，于2019年起與東南大學(xué)建立了寬禁帶半導(dǎo)體材料和器件聯(lián)合研發(fā)實驗室。在高頻、高功率密度開關(guān)電源控制技術(shù)和氮化鎵新型功率器件領(lǐng)域開展技術(shù)合作，在人才培養(yǎng)、前沿芯片設(shè)計技術(shù)及專利技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化方面進行深層次的合作。2016年12月，公司受邀成為浙江大學(xué)微電子學(xué)院理事會首批會員企業(yè)。

硅動力真誠歡迎從事微電子事業(yè)的人士加盟，倡導(dǎo)“拒絕平庸，創(chuàng)造精品”的經(jīng)營理念，希望與國內(nèi)外的企事業(yè)單位及各界友好人士攜手發(fā)展、共創(chuàng)未來。

SP9686E

SP9686E是一款高集成，高性能的準諧振PWM控制電路，具有低功耗、寬電源電壓特點，適合應(yīng)用在PD充電器方案。芯片采用了ESOP7封裝。

該控制器同時也是一款兼容低成本、高性價比的離線反激式電路，內(nèi)部集成650V 450mΩ GaN。谷底鎖定工作模式確保在穩(wěn)定的谷底工作，降低系統(tǒng)噪聲，隨著負載降低，第6谷底后，IC切換為無谷底鎖定模式，降低開關(guān)損耗。當負載進一步降低，芯片工作在跳頻模式，使待機功耗最小化。在整個負載范圍內(nèi)都有比較高的轉(zhuǎn)換效率。

SP9686E提供了完整的保護，包括逐周期過流保護(OCP)，過載保護(OLP)，外部過溫保護(OTP)，輸出短路保護(SCP)，輸出過壓和VDD過壓保護。IC內(nèi)部工作頓率控制技術(shù)使得23KHz頻率以下的能量最小化，來避免工作時產(chǎn)生的噪聲。

SP9689E

SP9689E是一款高集成，高性能的準諧振PWM控制電路，具有低功耗、寬電源電壓特點,適合應(yīng)用在PD充電器方案。芯片采用了ESOP10封裝，內(nèi)部集成650V 250mΩ氮化鎵開關(guān)管。

該控制器同時也是一款兼容低成本、高性價比的離線反激式電路，內(nèi)部集成650V GaN。具有高壓啟動,X電容放電功能。谷底鎮(zhèn)定工作模式確保在穩(wěn)定的谷底工作，降低系統(tǒng)噪聲，隨著負載降低,第6谷底后，IC切換為無谷底使定模式，降低開關(guān)損耗。當負載進一步降低，IC工作在跳頻模式，使待機功耗最小化。在整個負載范圍內(nèi)都有比較高的轉(zhuǎn)換效率。

SP9689E提供了完整的保護，包括逐周期過流保護(OCP)，過載保護(OLP)，外部過溫保護(OIP)，輸出短路保護( SCP)，輸出過壓和VDD 過壓保護。IC內(nèi)部工作頻率控制技術(shù)使得23KHz頻率以下的能量最小化，來避免工作時產(chǎn)生的噪聲。

C52：深圳市創(chuàng)芯微微電子有限公司

深圳市創(chuàng)芯微微電子有限公司成立于2017年5月，是一家專注于高精度、低功耗電池管理及高效率、高密度電源管理芯片研發(fā)和銷售的集成電路設(shè)計公司，公司總部位于深圳市龍崗區(qū)寶龍科技城智慧家園，在珠海和西安設(shè)有研發(fā)中心，在上海設(shè)有分公司。公司創(chuàng)始團隊來自全球知名IC設(shè)計公司，核心團隊擁有超過15年以上電池管理芯片（BMS）和電源管理芯片（PMIC）設(shè)計、研發(fā)和生產(chǎn)測試經(jīng)驗。目前已獲得發(fā)明專利、實用新型專利、布圖設(shè)計共57項，18項在申請中，具有ISO9000質(zhì)量管理體系認證，知識產(chǎn)權(quán)貫標認證，是國家級高新技術(shù)企業(yè)，工業(yè)和信息化部第三批專精特新“小巨人” 企業(yè)。

創(chuàng)芯微專注于電池管理和電源管理芯片開發(fā)，目前電池管理芯片已覆蓋從1節(jié)至14節(jié)，從全保護到次級保護等所有產(chǎn)品系列和應(yīng)用領(lǐng)域，成功導(dǎo)入OPPO、一加、哈曼、小米、萊克、宜家、沃爾瑪?shù)榷嗉覈鴥?nèi)外一流客戶并大批量使用，成為業(yè)界標桿產(chǎn)品，為客戶提供安全、穩(wěn)定、可靠的高性價比電池管理解決方案。2021全年銷售目標產(chǎn)值3億元，獲得行業(yè)認可，已聘請國內(nèi)一線券商、會計師、律師進行現(xiàn)場盡職調(diào)查，展開上市相關(guān)工作，進展順利。未來三年致力成為國內(nèi)第一、國際領(lǐng)先的電池及電源管理芯片及方案供應(yīng)商。

CM1777G

CM1777G是一款集成 GAN 650V的氮化鎵快充芯片，采用ESOP6封裝。適用于高頻高功率密度的寬輸入/輸出范圍交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計。具備適用于高效率的反激設(shè)計，最大功率支持33W，廣泛應(yīng)用于USBPD快速充電器和電源適配器。CM1777G集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷。

CM1778G

CM1778G是一款集成 GAN 650V的氮化鎵快充芯片，采用ESOP10封裝。適用于高頻高功率密度的寬輸入/輸出范圍交直流轉(zhuǎn)換器設(shè)計。具備適用于高效率的反激設(shè)計，最大功率支持65W，廣泛應(yīng)用于USBPD快速充電器和電源適配器。CM1778G集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷。

D06展位：強弦科技股份有限公司

JPX 是一家用于智能電源管理的 IC 設(shè)計公司，利用高壓工藝來包含數(shù)字控制和實時保護功能，從而降低客戶系統(tǒng)成本、提高功率因子并提高效率。

產(chǎn)品被臺達、創(chuàng)維、晶元等國際大廠采用，并獲得國內(nèi)多項經(jīng)濟部獎勵和補貼，并入選JPX為國家重點企業(yè)。近期，JPX與多家國際廠商在GaN HEMT、智能電源、USBPD等技術(shù)開發(fā)方面展開合作，提供最優(yōu)的電源系統(tǒng)解決方案。JPX立志于提供最好的系統(tǒng)整體解決方案、技術(shù)服務(wù)，成為國內(nèi)行業(yè)未來電源管理的先行者。

JP8020B450、JP8020B225、JP8020B150

JP8020B450、JP8020B225、JP8020B150系列為AC/DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供了高度集成的解決方案，芯片內(nèi)部集成650V增強型氮化鎵開關(guān)管，可以有效控制成本和外圍元件數(shù)量，待機功耗極低。芯片都采用了QFN88封裝方式，具備高壓啟動，支持最大輸出功率分別為40W，65W和100W，適用于快充充電器。

JP8020B450、JP8020B225、JP8020B150在100~500 kHz的高頻下穩(wěn)定工作，減小變壓器和輸出電容體積，因此模塊尺寸和重量明顯減小，功率密度比傳統(tǒng)開關(guān)電源高。JP8020B450、JP8020B225、JP8020B150系列集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷。

JP8020B165、JP8020B365

JP8020B165、JP8020B365系列為AC/DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用提供了高度集成的解決方案，集成啟動開關(guān)，可以有效控制成本和數(shù)量，待機功耗極低。芯片都采用了QFN88封裝方式，具備高壓啟動，支持最大輸出功率分別為40W和65W。廣泛應(yīng)用于快充充電器，也可運用于手機和筆記本電商的電源適配器上。

JP8020B165、JP8020B365在100~500 kHz的高頻下穩(wěn)定工作，使變壓器和輸出電容收縮，因此模塊尺寸和重量明顯減小，功率密度比傳統(tǒng)開關(guān)電源高。JP8020系列集成了多項保護特性，包括輸入過壓及欠壓保護、輸出過壓及過流限制以及過溫關(guān)斷。

充電頭網(wǎng)總結(jié)

氮化鎵技術(shù)在消費類電源產(chǎn)品中的大規(guī)模商用，充電器的效率得到優(yōu)化，體積得到大幅降低，便攜性更好，深受消費者青睞；目前各大手機、筆電品牌君已經(jīng)入局了氮化鎵快充市場，加上國家十四五計劃對第三代半導(dǎo)體技術(shù)的扶持，氮化鎵快充市場前景十分可觀。

合封氮化鎵芯片的出現(xiàn)，一顆芯片完成了此前需要三顆芯片才能實現(xiàn)的功能，從根本上解決了氮化鎵功率器件在控制、驅(qū)動方面的難題，簡化了快充電源的設(shè)計，并降低電源廠商的成本。通過匯總統(tǒng)計可見，將有17家電源芯片廠商帶來40余款合封氮化鎵芯片，可以滿足大功率寬輸出電壓電源產(chǎn)品的設(shè)計。

亞洲充電展（Asia Charging Expo）簡稱ACE，由充電頭網(wǎng)發(fā)起。亞洲充電展立足現(xiàn)代化國際都市群粵港澳大灣區(qū)，是全球影響最為廣泛的能源電子技術(shù)展會之一，也是亞洲屈指可數(shù)的充電行業(yè)技術(shù)產(chǎn)業(yè)盛會。得益于專業(yè)性強、參展商和觀眾覆蓋精準，亞洲充電展在全球享有相當高的知名度。現(xiàn)已成為了全球各大電源企業(yè)發(fā)布產(chǎn)品信息和展示最新技術(shù)的窗口。近年來，亞洲充電展吸引著來自全球數(shù)千家企業(yè)參與，覆蓋快充、無線充、儲能、新能源等領(lǐng)域，尤其是在推進快充、無線充技術(shù)的應(yīng)用與普及，亞洲充電展對行業(yè)貢獻深受贊譽。眾多行業(yè)人士已經(jīng)將這一展會規(guī)劃為每年重要行程。

拓展知識：