三星計(jì)劃2026年量產(chǎn)8nm車用eMRAM：比14nm密度高30%

三星計(jì)劃2026年量產(chǎn)8nm車用eMRAM：比14nm密度高30%

IT之家 10 月 20 日消息，三星主辦的 2023 年歐洲三星代工論壇（SFF）上，展示了從先進(jìn) 2nm 工藝到傳統(tǒng) 8 英寸工藝在內(nèi)的諸多代工解決方案，并展示了正在開發(fā)中的首款 5 納米 eMRAM 車用存儲(chǔ)。

eMRAM 是用于汽車應(yīng)用的下一代存儲(chǔ)半導(dǎo)體，可實(shí)現(xiàn)高讀寫速度以及卓越的耐熱性。

三星于 2019 年開發(fā)并量產(chǎn)業(yè)界首款基于 28nm FDSOI 的 eMRAM 以來，一直在開發(fā)基于 AECQ100 Grade 1 的 FinFET 工藝的 14nm 工藝。

IT之家從報(bào)道中獲悉三星電子公布了路線圖，計(jì)劃在 2024 年量產(chǎn) 14nm 工藝 eMRAM，并計(jì)劃在 2026 年量產(chǎn) 8nm、2027 年量產(chǎn) 5nm。與 14 納米工藝相比，三星 8 納米 eMRAM 具有將密度提高 30%、速度提高 33% 的潛力。

三星表示通過采用深溝槽隔離 (DTI) 技術(shù)，縮小每個(gè)晶體管之間的距離，最大限度地發(fā)揮功率半導(dǎo)體的性能。

三星代工廠將使用 120V（當(dāng)前為 70V）的更大電壓應(yīng)用于更廣泛的應(yīng)用，并準(zhǔn)備好在 2025 年之前提供實(shí)現(xiàn) 120V 至 130nm BCD 工藝的工藝開發(fā)套件 (PDK)。