消息稱英偉達已試水三星3nm GAA工藝，最快2025年量產

消息稱英偉達已試水三星3nm GAA工藝，最快2025年量產

IT之家 9 月 18 日消息，根據行業(yè)人士 @手機晶片達人 爆料，英偉達已經跟三星就 3nm GAA 工藝制程進行了接洽，如果一切順利則預定在 2025 年進行量產。

Hardwaretimes 此前也曾有過報道，下一代英偉達旗艦顯卡 RTX 5090 將使用 3nm 工藝，預計將在明年年底推出。

英偉達 RTX 40 系顯卡代號為 Ada Lovelace，而下一代 RTX 顯卡的代號為 Blackwell，其晶體管數量將超過 150 億，密度接近 3 億 / mm2，核心時鐘將超過 3 Ghz，總線密度將達到 512 bits。

根據早前外媒 Club 386 泄露的消息，基于 GB102 的 RTX 5090 包含 144 組 SM 單元，也就是 18432 個 CUDA（假設每組 SM 還是 128 個 CUDA），比 RTX 4090 多出 12.5%，96MB 二級緩存，匹配 GDDR7 顯存（384bit 位寬），支持 PCIe 5.0 x16。

IT之家曾報道，微星此前在臺北 Computex 電腦展上也一并展示了下一代英偉達 RTX 旗艦顯卡的散熱設計。

由圖可見，微星使用了動態(tài)雙金屬鰭片 (Dynamic Bimetallic Fin)，六條貫穿式純銅熱管、大面積鋁質鰭片中也嵌入了銅片，進一步增強散熱，而顯存區(qū)域也有對應的銅片，這說明不出意外的話下一代顯卡將針對散熱進行著重設計。

▲ 圖源 Club 386

▲ 圖源 Club 386

結合當下所曝光的信息，結合如此散熱條件，RTX 5090 的原始功耗和發(fā)熱應該會給人留下深刻的印象。