臺積電拿下IMS約10%股權(quán) 為2nm芯片商用化做準(zhǔn)備？

【手機(jī)中國新聞】9月13日，手機(jī)中國了解到，臺積電在日前舉辦的臨時董事會上宣布，擬不超4.328億美元收購英特爾手中IMS Nanofabrication（IMS）約10%股權(quán)，預(yù)計整個交易將在2023年第四季度完成。另外，臺積電還宣布擬不超過1億美元額度認(rèn)購Arm股票。

知名分析師郭明錤指出，臺積電這兩筆投資主要目的為提高垂直整合能力，以確保從目前3nm的FinFET技術(shù)能順利轉(zhuǎn)換到2nm的GAA技術(shù)。其中，投資IMS可確保關(guān)鍵設(shè)備的技術(shù)開發(fā)與供應(yīng)能滿足2nm商用化的需求。

談及半導(dǎo)體設(shè)備，荷蘭光刻機(jī)設(shè)備巨頭ASML多被大眾所熟知。不過值得注意的是，在芯片制造的過程中，IMS提供的多光束掩模寫入機(jī)也尤為重要。IMS于1985年在維也納成立，是一家多電子束直寫光刻設(shè)備廠商，產(chǎn)品主要應(yīng)用于先進(jìn)工藝節(jié)點光刻掩模制造。

簡單來說，如果沒有IMS的掩模寫入器，所有EUV工藝技術(shù)都將陷入停頓。EUV工藝技術(shù)被用于7nm以來的所有臺積電、英特爾的工藝節(jié)點。另外，三星的所有邏輯工藝技術(shù)都使用了EUV，該公司還在其最新的兩代DRAM工藝技術(shù)中使用了EUV。

半導(dǎo)體廠商D2S的首席執(zhí)行官Aki Fujimura表示：“在EUV開始進(jìn)入大批量制造的同時，行業(yè)開始采用多光束掩模寫入器，現(xiàn)在幾乎所有的EUV掩模都是用多光束掩模寫入器寫入的。”