半導(dǎo)體進(jìn)入“埃米時代”？

參考消息網(wǎng)12月12日報道據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》網(wǎng)站12月4日報道，美國英特爾公司正在加緊開發(fā)尖端半導(dǎo)體“Intel 20A”。20A中的A意為“埃米（angstrom）”。埃米是表示1納米的十分之一的長度單位，20A指2納米。英特爾提出新的技術(shù)指標(biāo)，試圖在與臺積電和三星電子的競爭中扭轉(zhuǎn)劣勢。

目前，衡量半導(dǎo)體尖端技術(shù)的指標(biāo)一般使用納米。具體是指半導(dǎo)體電路的線寬，電路越細(xì)半導(dǎo)體的處理能力和數(shù)據(jù)存儲容量越高，還能夠抑制電力消耗，并有助于半導(dǎo)體芯片的小型化。半導(dǎo)體廠商一直在競相推進(jìn)全是益處的“電路微細(xì)化”。

回顧大規(guī)模集成電路的歷史，英特爾在1971年推出的“Intel 4004”成為起點(diǎn)。當(dāng)時的線寬為10微米左右，換算成納米是1萬納米。從那時起，按照半導(dǎo)體芯片單位面積的性能在約2年內(nèi)翻一番的“摩爾定律”不斷實現(xiàn)微細(xì)化。

如果沒有這種半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新，智能手機(jī)等IT產(chǎn)品就不會誕生。如今，汽車、白色家電、機(jī)器人、工業(yè)機(jī)械等所有工業(yè)產(chǎn)品的進(jìn)化均由半導(dǎo)體拉動。

目前最尖端的要屬臺積電和三星將量產(chǎn)的3納米半導(dǎo)體。與之相對，英特爾的最新技術(shù)是7納米。21世紀(jì)10年代后半期，英特爾在生產(chǎn)技術(shù)開發(fā)上落后，被甩在了后面。

現(xiàn)在，英特爾能否一躍實現(xiàn)20A、也就是2納米技術(shù)？答案是否定的。不容忽視的一點(diǎn)是，英特爾并沒有明確表示“20A”指電路線寬。

實際上，5納米、3納米等指標(biāo)從約5年前開始與電路線寬的實際尺寸出現(xiàn)背離。目前還沒有關(guān)于應(yīng)測量半導(dǎo)體電路哪個位置的國際標(biāo)準(zhǔn)，據(jù)半導(dǎo)體設(shè)計公司高管稱，臺積電和三星正在量產(chǎn)的3納米也只是“企業(yè)方面的說辭”。

英特爾宣告“埃米時代的到來”，但沒有明確說明是長度單位。這只是一個營銷口號，目的是彰顯先進(jìn)形象。

那么，現(xiàn)在的線寬指的是什么呢？通常是把單位面積的半導(dǎo)體元件數(shù)與過去的自身產(chǎn)品進(jìn)行比較，根據(jù)元件增加了多少來計算。

雖然因為簡單易懂而經(jīng)常被使用，但不能單純地用這個數(shù)值來進(jìn)行性能比較。